Infineon IRLR3410TRPBF

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 105 Milliohms, TO-252AA (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 0.443
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 0.443
$ 1.17
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Stock
2,146,178
655,974
655,974
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
17 A
17 A
17 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
105 mΩ
105 mΩ
105 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
52 W
79 W
79 W
Input Capacitance
800 pF
800 pF
800 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonIRLR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Single N-Channel 100 V 105 mOhm 34 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - DPAK
InfineonAUIRLR3410
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
18 A 100 V 0.089 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
PWR MOS 100V/18A/0.087 OHM N-CH LOGIC LVL TO-252AA T&R
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLR3410TRPBF fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 105 Milliohms, TO-252AA (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Single N-Channel 100V 155 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 17 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 105 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 26 / Rise Time ns = 53 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 7.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLR3410TRPBF
  • IRLR3410TRPBF.
  • SP001567392