Infineon IRLR3410PBF
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance de l'historique des stocks indisponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRLR3410PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRLR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR3410TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonAUIRLR3410
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
onsemiHUFA76619D3ST
75W(Tc) 3V@ 250µA 29nC@ 10V 1individualNChannel 100V 85mΩ@ 18A,10V 767pF@25V TO-252AA SMD mount
onsemiHUF76619D3S
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLR3410PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
On a Reel of 3000, IRLR3410TRLPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
Single N-Channel 100 V 155 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:79W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:2.4°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:105mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:79W; Power Dissipation Pd:79W; Pulse Current Idm:60A; SMD Marking:IRLR3410; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance de l'historique des stocks indisponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating17 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance800 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation52 W
Rds On Max105 mΩ
Recovery Time210 ns
Resistance105 mΩ
Rise Time53 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité