Infineon IRLB4030PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB4110PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 3.7 Milliohms;ID 180A;TO-220AB;PD 370W
onsemiFDP036N10A
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 / Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
InfineonIRFB3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIRFB4310PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 5.6 Milliohms;ID 130A;TO-220AB;PD 300W
NXP SemiconductorsBUK7506-55B,127
Trans MOSFET N-CH 55V 145A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLB4030PBF fournies par ses distributeurs.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 87 nC 3HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, 100V, 180A, 4.3 MOHM, 87 NC QG,TO220
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:180A; On Resistance, Rds(on):3.4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:3-TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N-CH 100V 180A TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):4.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:370W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:370W; Power Dissipation Pd:370W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time170 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.36 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation370 W
Rds On Max4.3 mΩ
Resistance4.3 MΩ
Rise Time330 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time74 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité