onsemi FDP036N10A
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB4310ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 4.8 Milliohms;ID 120A;TO-220AB;PD 250W
InfineonIRFB4110PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 3.7 Milliohms;ID 180A;TO-220AB;PD 370W
InfineonIRFB4410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;TO-220AB;PD 200W;VF 1.3V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP036N10A fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 / Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 214A, 3.6mΩ
100 V, 214 A, 3.6 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
N CH MOSFET, POWERTRENCH, 100V, 214A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:214A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.295 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Rds On Max3.6 mΩ
Resistance3.6 MΩ
Rise Time54 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité