Infineon IRFB3207ZPBF
$ 1.293
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -0.28%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFB3207ZPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.293
$ 1.22
Stock
1,041,223
143,740
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
4.1 mΩ
4.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
6.92 nF
6.92 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB3206PBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
InfineonIRF2907ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.5Milliohms;ID 170A;TO-220AB;PD 300W;-55de
InfineonIRFB3207PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.6Milliohms;ID 180A;TO-220AB;PD 330W;-55de
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFB3207ZPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET, N Ch., 75V, 170A, 4.1 MOHM, 120NC QG, TO-220AB, Pb-Free
Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 300 W
2.5W,44W 20V 4V@ 250uA 15nC@ 10V 1N 100V 530m¦¸@ 3.3A,10V 6.6A 470pF@25V TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 75V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):4.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3207; Current Id Max:120A; N-channel Gate Charge:120nC; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300mW; Pulse Current Idm:670A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -0.28%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating170 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.92 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.1 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.1 mΩ
Recovery Time54 ns
Resistance4.1 MΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height20 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité