Infineon IRL530NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.1 Ohm; Id 17A; TO-220AB; Pd 79W; Vgs +/-16V
$ 0.48
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15

Pièces détachées

InfineonIRF530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;TO-220AB;PD 70W;gFS 12S
onsemiRFP12N10L
Transistor RFP12N10L MOSFET N-Channel 100 Volt 12 Amp TO-220
InfineonIRF9530NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-20V
VishayIRL530PBF
Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
onsemiFQP13N10L
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 12.8 A, 180 mΩ, TO-220
onsemiIRF530A
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 14 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Rail

Descriptions

Descriptions de Infineon IRL530NPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-16V
Transistor IRL530N N-Channel MOSFET 100V 12A TO-220
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 0.15 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:63W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:63W; Power Dissipation Pd:63W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 17 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 26 / Rise Time ns = 53 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 7.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220AB / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 79

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRL530NPBF
  • IRL 530NPBF
  • IRL530N
  • IRL530N-PBF
  • IRL530NPBF.
  • SP001578734