Vishay IRL530PBF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRL530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-16V
InfineonIRF9530NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay IRL530PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Vishay N-Channel MOSFET, Vds=100V, 15A, TO-220AB TH 3-Pin
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.16ohm; Rds(on) ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance930 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation88 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time4.7 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité