Infineon IRF9530NPBF
$ 0.388
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +19.87%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF9530NPBF.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRF9530NPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRL530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-16V
InfineonIRF530NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;TO-220AB;PD 70W;gFS 12S
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF9530NPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;TO-220AB;PD 79W;VGS +/-20V
Single P-Channel 100 V 0.2 Ohm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET P-Ch. -14A/-100V TO220 IRF 9530N PBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: P Power dissipation: 79 W
100 Volt 14 Amp Single P-Channel HEXFET Power MOSFET SO Package
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
P Channel Mosfet, -100V, 14A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9530NPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, P, -100V, -14A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:75W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-14A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF9530N; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.9°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:75W; Power Dissipation Pd:75W; Pulse Current Idm:52A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +19.87%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating-14 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation75 W
Rds On Max200 mΩ
Recovery Time190 ns
Resistance200 mΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF9530NPBF.
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité