Infineon IRFU1010ZPBF

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
$ 0.52
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRFU1010ZPBF4 565
10h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFU1010ZPBF06525Bulk
3h
FarnellIRFU1010ZPBF01
10h
Win SourceWS-IRFU1010ZPBF20180
11h
Worldway ElectronicsIRFU1010ZPBF14 0447Tube
10h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFU1010ZPBF.

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25

Pièces détachées

InfineonIRFU1205PBF
Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Détails
InfineonIRFU4105ZPBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Détails
InfineonIRFU5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W
Détails
onsemiNTD32N06-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 32A Ta 32A 93.75W 93ns
Détails
onsemiNTD32N06L-001
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel No-Cancel/No-Return
Détails
onsemiNTD32N06L-1G
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFU1010ZPBF fournies par ses distributeurs.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
International Rectifier
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
ComSIT Distribution GmbH
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-251; Current Id Max:42A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Length:9.65mm; Lead Spacing:2.28mm; No. of Transistors:1; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:360A; SMD Marking:IRFU1010ZPBF; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:30ns; Turn On Time:13ns; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA