Infineon IRFU1205PBF

Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
$ 2.14
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFU1205PBF0975Bulk
5h
FarnellIRFU1205PBF01
12h
Microchip USAIRFU1205312600Tray
7h
Win Source
2
WS-IRFU12051 1652
14h
Worldway Electronics
2
IRFU1205PBF17 8747Tube
12h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFU1205PBF.

IHS

Datasheet12 pagesIl y a 21 ans
Datasheet11 pagesIl y a 21 ans

Newark

DigiKey

Farnell

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Pièces détachées

InfineonIRFU5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W
Détails
onsemiNTD32N06-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 32A Ta 32A 93.75W 93ns
Détails
InfineonIRFU2405PBF
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
InfineonAUIRLU2905
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, IPAK-3, RoHS
Détails
onsemiNTD32N06L-001
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel No-Cancel/No-Return
Détails
onsemiNTD32N06L-1G
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFU1205PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:44A; On Resistance, Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:IPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, 55V, 37A, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.027ohm; Case Style:TO-251 (I-Pak); Case Style, Alternate:I-PAK; Current, Idm Pulse:160A; Power Dissipation:69W; Power, Pd:69W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:27ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Time, t Off:60ns; Time, t On:69ns; Voltage, Vds Max:55V
Farnell

Images

Infineon
Farnell
TME
Newark
International Rectifier
Rochester Electronics
iiiC
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFU1205
  • SP001578428