Infineon IRFS7787TRLPBF

Name: Infineon IRFS7787TRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS7787TRLPBF

MOSFET, 75V, 76A, 8.4 mOhm, 73 nC, D2PAK, TAPE & REEL LEFT

$ 2.7

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFS7787TRLPBF	0	10	Bulk		3,000	2,700	2,700	2,700	17h
Farnell	IRFS7787TRLPBF	0	1	Cut Tape	0,819*	0,819*	0,787*	0,737*	0,737*	1d
Component Stockers USA	IRFS7787TRLPBF	2 223			0,940	0,940	0,890	0,800	0,800	15h
Win Source	WS-IRFS7787TRLPBF	9 600	16				2,802	2,428	2,428	2h
Worldway Electronics	IRFS7787TRLPBF	17 809	7	Tape & Reel		0,887	0,859	0,814	0,814	1d

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Pièces de rechange

1 composant disponible

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IHS

Datasheet14 pagesIl y a 11 ans

Datasheet13 pagesIl y a 11 ans

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

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Ce composant

Pièces de rechange

InfineonIRFS7787TRLPBF

InfineonIRFS7787PBF

Price @ 1000

$ 2.7

$ 0.735

Stock

151,679

94,647

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Surface Mount, Through Hole

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

76 A

Threshold Voltage

Rds On Max

8.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

125 W

Input Capacitance

4.02 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-09-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2022-09-30

LTD Date2023-03-31

Pièces détachées

InfineonIRFS7787PBF

Single N-Channel 75 V 8.4 mOhm 73 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Détails

InfineonIRFS7762PBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Détails

InfineonIRFS7762TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Détails

onsemiHUF75344S3ST

PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.008 OHM N-CHANNEL TO-263AB T&R

Détails

STMicroelectronicsSTB76NF75

N-channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package

Détails

onsemiHUF75345S3S

75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFS7787TRLPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, 75V, 76A, 8.4 mOhm, 73 nC, D2PAK, TAPE & REEL LEFT

Newark

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Win Source

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 75V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET

Infineon

MOSFET, N-CH, 75V, 76A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 76A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0069ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; Power Dissipation Pd: 125W; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

SP001573416

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1 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight3.949996 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)76 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance8.4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time39 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.02 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation125 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance8.4 mΩ

Package Quantity800

Power Dissipation125 W

Rds On Max8.4 mΩ

Rise Time48 ns

Turn-Off Delay Time51 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm

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Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans