Infineon IRFS7762TRLPBF

Name: Infineon IRFS7762TRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS7762TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

$ 1.83

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRFS7762TRLPBF	760					1,270	1,050	0,940	21h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFS7762TRLPBF	0	5	Bulk		2,890	2,610	2,610	2,610	14h
Farnell	2	IRFS7762TRLPBF	0	1	Cut Tape	0,734*	0,734*	0,734*	0,734*	0,734*	21h
Microchip USA		IRFS7762TRLPBF	150	300	Bulk				6,500	6,500	13h
Win Source		WS-875186	20 000	30				1,655	1,346	1,346	22h

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Ce composant

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InfineonIRFS7762TRLPBF

InfineonIRFS7762PBF

Price @ 1000

$ 1.83

$ 1.299

Stock

53,070

38,779

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

85 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6.7 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

140 W

Input Capacitance

4.44 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-08-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2021-11-30

LTD Date2022-05-31

Pièces détachées

InfineonIRFS7762PBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Détails

InfineonIPB100N08S2L07ATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Détails

VishaySQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3

Détails

InfineonIRFS7540TRLPBF

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Détails

onsemiHUF75344S3ST

PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.008 OHM N-CHANNEL TO-263AB T&R

Détails

onsemiHUF76445S3S

60V, 75A, 0.0075 ohm, NCH LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFS7762TRLPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Win Source

Single N-Channel 75 V 6.7 mOhm 85 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

TAPE AND REEL / MOSFET, 75V, 104A, 6.3 Ohm, 88 nC, D2PAK

Newark

Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 75V, 85A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 85A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; P

Farnell

Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET

Infineon

Images

Infineon

Farnell

Future Electronics

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFS7762
SP001557548

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Weight3.949996 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)85 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance6.7 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time40 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.44 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation140 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance6.7 mΩ

Package Quantity800

Power Dissipation140 W

Rds On Max6.7 mΩ

Rise Time49 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time57 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Dimensions

Height5.084 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans