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Infineon IRFS7730PBF

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
$ 1.24
Obsolete
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.24
$ 1.91
Stock
244,370
212,669
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vds)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.6 mΩ
2.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
13.66 nF
13.66 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-01-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Pièces détachées

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH270N8F7-2
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7530PBF
N Channel 60 V 2 mO 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
AUIRFS3107 Series 75 V 195 A 370 W SMT HEXFET® Power MOSFET - D2PAK-3
STMicroelectronicsSTH240N75F3-2
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-2 package

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFS7730PBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 271 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
TUBE / MOSFET, 75V, 195A, 2.6 Ohm, 271 nC, D2PAK
Brushed motor drive applications | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
375W(Tc) 20V 3.7V@ 250µA 407nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 2.6mΩ@ 100A,10V 195A 13.66nF@25V TO-263 SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
MOSFET, N-CH, 75V, 195A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 246A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001571682