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STMicroelectronics STH270N8F7-2

N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
$ 2.125
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
DigiKey
3
497-13873-1-ND
292
1
Cut Tape
USD
5,710
3,801
2,719
2,445
2,445
Newark
STH270N8F7-2
0
1
Cut Tape
USD
5,500
3,670
2,750
2,380
2,380
RS (Formerly Allied Electronics)
STH270N8F7-2
0
2
Bulk
USD
6,520
6,170
6,170
6,170
21h
Avnet
STH270N8F7-2
0
1K
USD
1,932
1,793
1d
Future Electronics
STH270N8F7-2
0
1K
Tape & Reel
USD
2,510
2,470

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STH270N8F7-2.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet22 pagesIl y a 13 ans

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRFS7730PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
STMicroelectronicsSTH310N10F7-2
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Détails
STMicroelectronicsSTH275N8F7-2AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
InfineonIRFS7730TRLPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Détails
InfineonIRFS7530PBF
N Channel 60 V 2 mO 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STH270N8F7-2 fournies par ses distributeurs.

N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronics
STH270N8F7-2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 180 A, 80 V, 3-PIN H2PAK-2
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET, N-CH, 80V, 180A, 175DEG C, 315W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 315W; Transistor Case Style: H2PAK-2; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET F7 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Farnell

Images

Lanka Micro
Future Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • STH270N8F72