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Infineon IRFS7530PBF

N Channel 60 V 2 mO 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet13 pagesIl y a 11 ans
Datasheet14 pagesIl y a 11 ans

Newark

Modèles CAO

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SnapEDA
SymboleEmpreinte
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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.601
Stock
57,859
601,687
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
3.7 V
3.7 V
Rds On Max
2 mΩ
2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
13.703 nF
13.703 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFS7534PBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK N-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-PAK Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRLS3036
MOSFET, N-CH, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
STMicroelectronicsSTH265N6F6-2AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
90W(Tc) 2.6V@1mA 280nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3.3mΩ@ 50A,10V 15.8nF@20V D2PAK SMD mount

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFS7530PBF fournies par ses distributeurs.

N Channel 60 V 2 mO 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 375 W
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001552334