Infineon IRFR5305TRLPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id -31A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W
$ 0.604
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFR5305TRLPBF.

Newark

Datasheet12 pagesIl y a 21 ans

IHS

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-5.70%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IRFR5305TRLPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia, Mexico, Usa
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonAUIRFR5305
Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
P-Channel 55 V 31 A 110 W Surface Mount Automotive MOSFET - TO-252AA
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Diodes Inc.DMPH6050SK3Q-13
P-Channel 60 V 50 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR5305TRLPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Single P-Channel 55 V 0.065 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Transistor: P-MOSFET; unipolar; HEXFET; -55V; -28A; 89W; DPAK
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P CH, 55V, 31A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 31 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 65 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 63 / Rise Time ns = 66 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR5305TRLPBF.
  • SP001567854