Infineon IRFR5305PBF
$ 0.638
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFR5305PBF.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFR5305PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFR5305TRPBF
Transistor MOSFET P Channel 55 Volt 31 Amp 3-Pin 2+ Tab Dpak Tape and Reel
InfineonIRFR5305TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRLR4343PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 42 Milliohms;ID 26A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
VishaySIS434DN-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Diodes Inc.DMPH6050SK3Q-13
P-Channel 60 V 50 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252
Diodes Inc.DMPH6050SK3-13
Mosfet, P-Ch, 60V, 23.6A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMPH6050SK3-13
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFR5305PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Single P-Channel 55 V 0.065 Ohm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P, -55V, -28A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:-31A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:110A; SMD Marking:IRFR5305; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:-55V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating-31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Dual Supply Voltage-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation89 W
Rds On Max65 mΩ
Recovery Time110 ns
Rise Time66 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFR5305PBF.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité