Infineon IRFR3411TRPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 36Milliohms; ID 32A; D-Pak (TO-252AA); -55deg
$ 0.589
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkIRFR3411TRPBF1 9581Cut Tape
Arrow Electronics
3
IRFR3411TRPBF2 1611
Rochester Electronics
2
IRFR3411TRPBF1 900
16h
DigiKey
3
IRFR3411TRPBFCT-ND10 8141Cut Tape
Future Electronics
2
IRFR3411TRPBF02KTape & Reel

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFR3411TRPBF.

Newark

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans
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iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR3411PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 36Milliohms;ID 32A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
InfineonIRFR3410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
InfineonIRFR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
onsemiFDD3680
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 25A, 46mΩ
Détails
STMicroelectronicsSTD25N10F7
N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A, STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Détails
onsemiNVD6495NLT4G
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR3411TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 36Milliohms;ID 32A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET, N-CH, 100V, 32A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 32A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 130W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Images

Infineon
Newark
element14 APAC
RS APAC
TME
iiiC
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR3411TRPBF.
  • SP001564934