Infineon IRFR3410TRPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 34Milliohms; ID 31A; D-Pak (TO-252AA); -55deg
$ 0.479
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRFR3410TRPBF2 0002K
22h
Newark
3
IRFR3410TRPBF2 1295Cut Tape
Arrow Electronics
3
IRFR3410TRPBF5 3151
Future Electronics
4
IRFR3410TRPBF974 0002KTape & Reel
RutronikTMOSP122872 0002K
3h

Fiches techniques et documents

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Newark

Datasheet11 pagesIl y a 21 ans
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RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR3411PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 36Milliohms;ID 32A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
InfineonIRFR540ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Détails
InfineonIRFR540ZTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 35 A, 28.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Détails
STMicroelectronicsSTD20NF10T4
N-channel 100 V, 0.038 Ohm typ., 25 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Détails
onsemiNVD6495NLT4G
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR3410TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:31A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:110W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR3410TRPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 31 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 39 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 13 / Rise Time ns = 27 / Turn-OFF Delay Time ns = 40 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110
Distrelec

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Infineon
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Future Electronics
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Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR3410TRPBF.
  • SP001578202