Infineon IRFR2905ZTRPBF

Single N-Channel 55 V 14.5 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
$ 0.45
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 0.45
$ 1.19
$ 1.19
Stock
876,757
341,612
341,612
Authorized Distributors
6
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
14.5 mΩ
14.5 mΩ
14.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
-
Power Dissipation
110 W
110 W
110 W
Input Capacitance
1.38 nF
1.38 nF
1.38 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

InfineonIRLR2905ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
Diodes Inc.DMP4015SK3Q-13
Trans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR2905ZTRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 55 V 14.5 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
MOSFET, N-CH, 55V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 59 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 14.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 66 / Turn-OFF Delay Time ns = 31 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR2905ZTRPBF.
  • SP001552100