Infineon IRFB3607PBF
$ 0.444
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +6.90%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFB3607PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Pièces détachées
InfineonIRF1010EZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 6.8Milliohms;ID 84A;TO-220AB;PD 140W;-55deg
InfineonIRF3205ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
InfineonIRF1018EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 79A;TO-220AB;PD 110W;-55deg
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFB3607PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 80A;TO-220AB;PD 140W;-55de
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:310A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +6.90%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.07 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max9 mΩ
Recovery Time50 ns
Resistance9 MΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.6426 mm
Width4.82 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité