Infineon IRF540NLPBF
$ 1.321
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.31%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRF540NLPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | 3D | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.321
$ 1.321
Stock
503,726
503,726
Authorized Distributors
3
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262-3
TO-262-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
33 A
33 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
44 mΩ
44 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
130 W
130 W
Input Capacitance
1.96 nF
1.96 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF540ZLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-262;PD 92W;VGS +/-20
InfineonIRF5210LPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-262;PD 200W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF540NLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-262;PD 130W;VGS +/-2
Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
MOSFET N-CH 100V 33A TO262 N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D),; |Infineon Technologies IRF540NLPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Infineon NChannel EnhancedMOSTube HEXFETseries, Vds=100 V, 33 A, I2PAK (TO-262)encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 44 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = I2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 130
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.31%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Current Rating33 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance44 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance44 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation130 W
Rds On Max44 mΩ
Resistance44 MΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité