Infineon IRF540ZLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF540ZLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-262;PD 92W;VGS +/-20
Single N-Channel 100 V 26.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
MOSFET N-CH 100V 36A TO262 / N-Channel 100 V 36A (Tc) 92W (Tc) Through Hole TO-262
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
92W(Tc) 20V 4V@ 250µA 63nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 26.5mΩ@ 22A,10V 36A 1.77nF@25V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:36A; On Resistance, Rds(on):26.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Current Rating36 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation92 W
Rds On Max26.5 mΩ
Resistance26.5 MΩ
Rise Time51 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité