Infineon IRF9540NLPBF

IRF9540NLPBF P-channel MOSFET Transistor, 23 A, 100 V, 3-Pin TO-262
$ 1.815
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF540NLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-262;PD 130W;VGS +/-2
InfineonIRFSL4510PBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRF540ZLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-262;PD 92W;VGS +/-20
onsemiFDI150N10
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 57A, 16mΩ
N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 56A, 25mΩ
InfineonIRF1407LPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF9540NLPBF fournies par ses distributeurs.

IRF9540NLPBF P-channel MOSFET Transistor, 23 A, 100 V, 3-Pin TO-262
Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:3.1W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:23A; On Resistance Rds(On):0.117Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, P, 100V, TO-262; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:3.1W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:430mJ; Capacitance Ciss Typ:1300pF; Current Iar:11A; Current Id Max:-23A; Fall Time tf:51ns; Gfs Min:5.3mA/V; On State Resistance Max:117mohm; P Channel Gate Charge:97nC; Package / Case:TO-262; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:3.1W; Pulse Current Idm:76A; Rise Time:67ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF9540NL
  • IRF9540NLPBF.
  • SP001575378