Infineon IRF3205ZSTRLPBF

Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 0.847
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRF3205ZSTRLPBF1 600800
1d
Newark
2
IRF3205ZSTRLPBF5711Cut Tape
RutronikTMOSP117543 200800
13h
Rochester ElectronicsIRF3205ZSTRLPBF3 200
6h
DigiKey
3
IRF3205ZSTRLPBFCT-ND1781Cut Tape

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRF3205ZSTRLPBF
InfineonAUIRF3205ZS
InfineonAUIRF3205ZS
Price @ 1000
$ 0.847
$ 1.24
$ 1.24
Stock
1,678,303
221,890
221,890
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
3.45 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28

Pièces détachées

InfineonIRF1010ZSTRLPBF
Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Détails
InfineonIRL3705NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.01Ohm;ID 89A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-16V;-55d
Détails
InfineonIRF1010NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Détails
STMicroelectronicsSTB141NF55
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiFDB8444-F085
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF3205ZSTRLPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
170W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1N 55V 6.5m¦¸@ 66A,10V 3.45nF@25V D2PAK
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:75A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:170W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205ZSTRLPBF.
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

Infineon
element14
element14
Farnell
TME
Micros
Conrad
Future Electronics
Newark
Rochester Electronics
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF3205ZS
  • IRF3205ZSTRLPBF.
  • SP001559546