onsemi FDB8444-F085
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF2804STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB120N4F6
N-channel 40 V, 3.5 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
InfineonIRF1503STRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB8444-F085 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 2 EAR99 Mosfet Transistor 70A 167W 40V 0.0055Ohm
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 3.9mΩ
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.035 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation167 W
Rds On Max5.5 mΩ
Rise Time78 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité