Infineon IPW65R080CFDAFKSA1
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Pièces de rechange
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$ 4.43
$ 4.79
Stock
235,777
117,534
Authorized Distributors
6
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
43.3 A
43.3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
80 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
391 W
391 W
Input Capacitance
4.44 nF
-
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW56N65M2
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de Infineon IPW65R080CFDAFKSA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, To-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43.3A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.072Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R080CFDAFKSA1
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)43.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation391 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance80 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation391 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time20 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité