Infineon IPW60R099P7XKSA1
$ 2.216
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 2.216
$ 2.144
Stock
1,769,076
119,309
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Through Hole
Case/Package
-
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
37.9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
99 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
117 W
278 W
Input Capacitance
-
3.33 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPW60R099P7XKSA1 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin TO-247 Tube
Mosfet, N-Ch, 600V, 31A, 117W, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.077Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R099P7XKSA1
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation117 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height25.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité