Infineon IPW60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
$ 2.139
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPW60R099P6XKSA11281
Arrow ElectronicsIPW60R099P6XKSA14801
RutronikTMOS159066030
22h
Rochester ElectronicsIPW60R099P6XKSA165
15h
DigiKeyIPW60R099P6XKSA1-ND3741Tube

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPW60R099P6XKSA1
InfineonIPW60R099P7XKSA1
Price @ 1000
$ 2.139
$ 2.216
Stock
119,601
1,773,024
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
37.9 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
99 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
278 W
117 W
Input Capacitance
3.33 nF
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
Détails
STMicroelectronicsSTW43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Détails
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Détails
STMicroelectronicsSTW35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
Détails
InfineonIPW60R125P6XKSA1
Transistor MOSFET N-Channel 600V 30A 3-Pin TO-247 Tube
Détails
onsemiFCH125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPW60R099P6XKSA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Semicontronic
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Infineon
Mosfet, N-Ch, 600V, 37.9A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:37.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.089Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R099P6XKSA1
Newark

Images

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TME
RS
LZChips
Rochester Electronics
Future Electronics
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Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPW60R099P6
  • SP001114658