Infineon IPW60R099CPFKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-02-15
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonSPW24N60C3FKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Descriptions
Descriptions de Infineon IPW60R099CPFKSA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:31A; On Resistance, Rds(on):0.099ohm; Package/Case:TO-247; Termination Type:SMD; Current, Idm pulse:93A; Drain-Source Breakdown Voltage:600V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; MSL:MSL 3 - 168 hours; Avalanche Single Pulse Energy Eas:800mJ; Capacitance Ciss Typ:2800pF; Current Id Max:31A; Current Temperature:25°C; Fall Time tf:5ns; N-channel Gate Charge:60nC; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:255W; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:93A; Repetitive Avalanche Energy Max:1.2mJ; Rise Time:5ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation255 W
Rds On Max99 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length16.13 mm
Width5.21 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité