Infineon SPW24N60C3FKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30
Pièces détachées
VishaySIHG30N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
VishaySIHG30N60E-E3
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySIHG28N60EF-GE3
EF-Series N-Channel 600 V 250 W 123 mO 120 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247
InfineonSPW20N60S5FKSA1
Single N-Channel 600 V 190 mOhm 79 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-247-3, PG-TO247-3, RoHS
InfineonIPW60R190C6FKSA1
151W 20V 3.5V 63nC@ 10V 1N 600V 190m¦¸@ 10V 20.2A 1.4nF@ 100V 15.9mm*5.03mm*20.9mm
Descriptions
Descriptions de Infineon SPW24N60C3FKSA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
Power Field-Effect Transistor, 24.3A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:24.3A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-247; ;RoHS Compliant: Yes
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.3 A
Current Rating24.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation240 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance160 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation240 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length16.03 mm
Width5.16 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité