onsemi FCH099N60E

Name: onsemi FCH099N60E
Brand: onsemi
SKU: FCH099N60E

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	FCH099N60E	0	90
Farnell	FCH099N60E	0	450	Tube				3,567*	3,567*	11h
Win Source	WS-FCH099N60E	3 300	13				3,500	3,138	3,138	2h
Worldway Electronics	FCH099N60E	6 467	7	Tube		0,443	0,420	0,373	0,373	1h
SHENGYU ELECTRONICS	FCH099N60E	15 637	1		3,270	3,204	3,110	3,010	2,880	3d

Modèles CAO

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Pièces de rechange

0 composant disponible

Fiches techniques et documents

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onsemi

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

Datasheet0 pageIl y a 0 an

IHS

Future Electronics

Fairchild Semiconductor

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-08-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Pièces détachées

VishaySIHG33N60E-GE3

SiHG33N60E Series ±30 V 33 A 278 W Through Hole Power Mosfet - TO-247AC

Détails

VishaySIHG33N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

Détails

VishaySIHG30N60E-GE3

MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D

Détails

STMicroelectronicsSTW48N60M2

N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

Détails

STMicroelectronicsSTWA48N60M2

N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package

Détails

STMicroelectronicsSTW36NM60ND

Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FCH099N60E fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247

onsemi

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Sf2 600V 99Mohm E To247 Rohs Compliant: Yes

Newark

MOSFET SuperFET2 600V Slow version

Future Electronics

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 64LFQFP

YIC International

IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP

Utmel Electronic

SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET easy-drive series offers slightly slower rise and fall times compared to the SuperFET II MOSFET series. Noted by the "E" part number suffix, this family helps manage EMI issues and allows for easier design implementation. For faster switching in applications where switching losses must be at an absolute minimum, please consider the SuperFET II MOSFET series.

Fairchild Semiconductor

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

FCH099N60E.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-247-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.39 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)37 A

Drain to Source Resistance99 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time22 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.465 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation357 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Rds On Max99 mΩ

Rise Time23 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time92 ns

Turn-On Delay Time24 ns

Fiches techniques et documents

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onsemi

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

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IHS

Future Electronics

Fairchild Semiconductor

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A