Infineon IPD90R1K2C3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Farnell
2
IPD90R1K2C3ATMA101Cut Tape
23h
Microchip USAIPD90R1K2C3ATMA11 043600
18h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IPD90R1K2C3ATMA17 5001Tape & Reel
1d
Win SourceWS-IPD90R1K2C3ATMA136 30070
42m
Worldway ElectronicsIPD90R1K2C3ATMA118 3447Tape & Reel
1d

Fiches techniques et documents

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Infineon SCT

Datasheet10 pagesIl y a 17 ans

Newark

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTDLED656
N-channel 650 V, 1.1 Ohm typ., 6 A Power MOSFET in DPAK package
Détails
InfineonIPD80R1K0CEATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, 800V COOLMOS CE POWER, N-CHANNEL, 800V, 18A, TO252
Détails
InfineonIPD80R1K0CEBTMA1
Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 5.7A 3-Pin TO-252 T/R
Détails
InfineonSPD06N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Détails
onsemiFCD1300N80Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTD7N65M2
N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD90R1K2C3ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.1A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Vo; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Mosfet, N Channel, 100V, 5.1A, To-252; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:5.1A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:900V; Resistencia De Activación Rds(On):1.2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Infineon IPD90R1K2C3ATMA1
Newark
900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting
Infineon

Images

Farnell
element14 APAC
TME
Future Electronics
RS

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001117752