onsemi FCD1300N80Z
$ 1.19
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FCD1300N80Z | 215 | 16h | |||||||||
| DigiKey | FCD1300N80ZCT-ND | 1 891 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FCD1300N80Z | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FCD1300N80Z | 0 | 625 | Bulk | ||||||||
| Avnet | FCD1300N80Z | 0 | 2500 | 18h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -39.19%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD7LN80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi FCD1300N80Z fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. In addition, internal gate-source ESD diode allows to withstand over 2kV HBM surge stress.Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -39.19%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance880 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation52 W
Rds On Max1.3 Ω
Resistance1.3 Ω
Rise Time8.3 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité