Infineon IPD65R380E6ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.779
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetIPD65R380E6ATMA115 0002500
1d
NewarkIPD65R380E6ATMA11 0771Cut Tape
Rochester ElectronicsIPD65R380E6ATMA11 842
2h
DigiKey
3
448-IPD65R380E6ATMA1CT-ND4 4421Cut Tape
Arrow ElectronicsIPD65R380E6ATMA102500

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPD65R380E6ATMA1
InfineonIPD65R380C6BTMA1
Price @ 1000
$ 0.779
$ 0.782
Stock
301,989
419,882
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
10.6 A
10.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
380 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
83 W
83 W
Input Capacitance
710 pF
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTD16N50M2
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Détails
InfineonIPD60R380P6ATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Détails
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Détails
InfineonIPD65R420CFDBTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Détails
InfineonIPD60R380C6ATMA1
83W(Tc) 20V 3.5V@ 320¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 3.8A,10V 10.6A 700pF@100V DPAK 2.56mm
Détails
STMicroelectronicsSTD11NM65N
N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD65R380E6ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 650V, 10.6A, To-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.34Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD65R380E6ATMA1
Newark
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease-of-use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ E6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ E6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Infineon

Images

TME
Newark
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD65R380E6
  • SP001117736