STMicroelectronics STD16N50M2
$ 0.762
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD16N50M2 | 99 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STD16N50M2 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD16N50M2 | 396 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-15111-1-ND | 612 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STD16N50M2 | 0 | 2500 | 15h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK package
InfineonIPD50R380CEAUMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 9.9 A, 500 V, 0.35 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPD65R380E6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD12N50M2
N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD16N50M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 19.5nC@ 10 V 1N 500V 280m¦¸@ 6.5A,10V 13A 710pF@100V TO-252
MOSFET, N-CH, 500V, 13A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 13A, 150度 C, 110W;
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max280 mΩ
Rise Time7.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant