Infineon IPD122N10N3GATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31
Pièces détachées
InfineonIPD60N10S4L12ATMA1
IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
InfineonIPD60N10S412ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
InfineonIPD70N10S312ATMA1
100V, N-Ch, 11.1 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Diodes Inc.DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Diodes Inc.DMNH10H028SK3Q-13
Single N-Channel 100 V 28 mOhm 22 nC 3.7 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Descriptions
Descriptions de Infineon IPD122N10N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)59 A
Drain to Source Resistance12.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.88 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12.2 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation94 W
Rds On Max12.2 mΩ
Schedule B8541290080
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité