Infineon IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
$ 0.841
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetIPD082N10N3GATMA15 0002500
1d
Newark
2
IPD082N10N3GATMA12531Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD082N10N3GATMA14 4751
Future Electronics
2
IPD082N10N3GATMA145 0002500Tape & Reel
RutronikTMOS24442 5002500
22h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR7740TRPBF
Single N-Channel 75V 7.2 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Détails
InfineonIRFR7740PBF
Single N-Channel 75 V 7.2 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Détails
InfineonIPD068N10N3GATMA1
150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
Détails
STMicroelectronicsSTD80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
onsemiFDD86369-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 90 A, 7.9 mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD082N10N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Verical
100V 80A 8.6m´Î@10V73A 125W 3.5V@75Ã×A N Channel PG-TO252-3 MOSFETs ROHS
Dasenic
100V 80A 8.2mΩ@10V,73A 125W 3.5V@75uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
125W 20V 3.5V 42nC@ 10V 100V 8.2m¦¸@ 10V 80A 2.99nF@ 50V TO-252 2.41mm
UnikeyIC
Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1
RS APAC
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, 175Deg C, 125W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD082N10N3GATMA1
Newark

Images

Augswan
TME
TME
TME
RS APAC
Future Electronics
LZChips
LCSC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD082N10N3 G
  • IPD082N10N3-G
  • IPD082N10N3G
  • SP001127824