onsemi FDD86369-F085
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
InfineonIPD90N06S407ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S407ATMA2
Diodes Inc.DMTH6010SK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 70A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6010SK3-13
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD86369-F085 fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 90 A, 7.9 mΩ
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Mv7 80/20V 1000A N-Channel Powertrench Mosfet / Tape Reel
MOSFET 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 90A, 175度 C, 150W;
MOSFET, N-CH, 80V, 90A, 175DEG C, 150W;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance5.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max7.9 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité