Infineon IPD068N10N3GATMA1

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$ 0.962
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD068N10N3GATMA11865Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPD068N10N3GATMA19 7401
Future Electronics
2
IPD068N10N3GATMA12 5002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsIPD068N10N3GATMA113 251
13h
DigiKey
3
IPD068N10N3GATMA1CT-ND6 4221Cut Tape

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 11 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Pièces détachées

InfineonIPD90N10S4L06ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1
Détails
InfineonIPD082N10N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Détails
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Détails
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD068N10N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
Unikeyic (ICkey)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N-CH, 100V, 90A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V;
element14 APAC

Images

RS
iiiC
Augswan
RS APAC
Future Electronics
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD068N10N3 G
  • IPD068N10N3-G
  • IPD068N10N3G
  • IPD068N10N3GBTMA1
  • SP000469892
  • SP001127816