Infineon IPD053N08N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 1.13
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIPD053N08N3GATMA15 0002500
5d
NewarkIPD053N08N3GATMA115 3471
Future Electronics
2
IPD053N08N3GATMA12 5002500Tape & Reel
Arrow Electronics
3
IPD053N08N3GATMA14 0881
RutronikTMOS25267 5002500
20h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Pièces détachées

InfineonIPD90N08S405ATMA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 144W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1
Détails
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Détails
InfineonIRFR7540TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Détails
InfineonIRFR7540PBF
Single N-Channel 60 V 4 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
Détails
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD053N08N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET, N CH, 90A, 80V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

RS
iiiC
Augswan
TME
Newark
RS
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD053N08N3 G
  • IPD053N08N3G
  • IPD053N08N3GBTMA1
  • SP000395183
  • SP001127818