Infineon IPD042P03L3GATMA1

Trans Mosfet P-ch 30V 70A 3-PIN TO-252 T/r
$ 0.927
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD042P03L3GATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 12 ans

Newark

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+38.87%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD042P03L3GATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
3DTélécharger
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

IPD031N03L G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 90 A, 30 V, 3-PIN TO-252
Diodes Inc.DMTH3004LK3-13
175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, NULL VGS
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
onsemiFDD6688
Transistor,mosfet,n-Channel,30V V(Br)Dss,84A I(D),to-252Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD6688
onsemiFDD6670AL
N-Channel 30V 84A (Ta) 83W (Ta) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD042P03L3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin TO-252 T/R
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, P-Ch, -30V, -70A, To-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-70A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(On):0.0035Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001127836