Infineon IPD031N03LGBTMA1

Name: Infineon IPD031N03LGBTMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD031N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Microchip USA	IPD031N03LGBTMA1	1 214	3500						0,385	1d
Worldway Electronics	IPD031N03LGBTMA1	11 809	7	Tape & Reel		0,162	0,157	0,148	0,148	1d
Fmall Co., Limited	IPD031N03LGBTMA1	23 430			0,370	0,370	0,346	0,326	0,298	>1wk
Aztech	IPD031N03LGBTMA1	12 817			3,060	3,060	3,060	3,060	3,060	1d
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	IPD031N03LGBTMA1	Contact			0,477	0,429	0,386	0,312	0,281	>1wk

Modèles CAO

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Pièces de rechange

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFH5302TRPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6

Détails

onsemiFDD8896

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),TO-252AA

Détails

InfineonIRLR8103VTRPBF

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level

Détails

InfineonIPD040N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Détails

onsemiFDD8874

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 116A, 5.1mΩ

Détails

onsemiFDD8876

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 73A, 8.2mΩ

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD031N03LGBTMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Avnet

Compliant Surface Mount 5 ns 6 ns 3.1 mΩ TO-252-3 5.3 nF 94 W

Augswan

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)90 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance4.4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.3 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation94 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation94 W

Rds On Max3.1 mΩ

Rise Time6 ns

Turn-Off Delay Time34 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Dimensions

Height2.5 mm

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Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

Conformité

Classification environnementale

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A