onsemi FDD6670AL
$ 1.193
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDD6670AL | 2 500 | 235 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDD6670AL | 48 828 | 4h | |||||||||
| Microchip USA | FDD6670AL | 204 | 300 | Bulk | 20h | |||||||
| Win Source | WS-FDD6670AL | 2 834 | 95 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDD6670AL | 23 519 | 7 | Bulk | 4h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-12-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Pièces détachées
InfineonIRFR3709ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 86A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD6670AL fournies par ses distributeurs.
N-Channel 30V 84A (Ta) 83W (Ta) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
30V/16V, 5/6MO, NCH, SINGLE, DPAK, 400A GOX, PTIII
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)84 A
Current Rating84 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.845 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max5 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time62 ns
Voltage Rating (DC)30 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité