Infineon IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
$ 1.76
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB65R190CFDAATMA11121Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPB65R190CFDAATMA19701
DigiKey
3
448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND1 0361Cut Tape
AvnetIPB65R190CFDAATMA101K
3d
Future Electronics
2
IPB65R190CFDAATMA101KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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Datasheet16 pagesIl y a 13 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB65R190CFDAATMA1
InfineonIPB65R190CFDATMA1
Price @ 1000
$ 1.76
$ 1.56
Stock
857,219
372,436
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-263-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
190 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
-
Power Dissipation
151 W
-
Input Capacitance
1.85 nF
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
VishaySIHB21N65EF-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB65R150CFDAATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Détails
VishaySIHB20N50E-GE3
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB60R190P6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB65R190CFDAATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Verical
Mosfet Single, 17.5A, 650V, 151W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1
Newark
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Infineon

Images

RS APAC
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB65R190CFDA
  • SP000928264