Infineon IPB072N15N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 1.434
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IPB072N15N3GATMA111 0001K
6d
Newark
2
IPB072N15N3GATMA11 7681Cut Tape
Future Electronics
2
IPB072N15N3GATMA131 0001KTape & Reel
Arrow Electronics
4
IPB072N15N3GATMA15 4891
RutronikTMOSP88684 0001K
17h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPB072N15N3GATMA1.

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPB108N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
InfineonIPB027N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
InfineonIPB025N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiFDB8832
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ
Détails
onsemiFDB8441
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB072N15N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
Avnet
OPTIMOS3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

RS
TME
element14 APAC
Newark
Future Electronics
Smith & Associates
UTSource
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB072N15N3 G
  • IPB072N15N3-G
  • IPB072N15N3.G
  • IPB072N15N3G
  • IPB072N15N3_G
  • SP000386664