Infineon IPB027N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 2.126
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPB027N10N3GATMA11 6851Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPB027N10N3GATMA11 6161
RutronikTMOSP947221 0001K
13h
Rochester ElectronicsIPB027N10N3GATMA11 000
5h
DigiKey
3
IPB027N10N3GATMA1CT-ND9 9701Cut Tape

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia, Mexico, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPB042N10N3GATMA1
214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
Détails
VishaySQM120N10-3M8_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.003 Ohm, 10 V, 3 V
Détails
InfineonIPB025N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB025N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
Détails
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB027N10N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING WITH 175 DEGREE CELSIUS
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V; Power Dissipation:300W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1.
Newark
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon

Images

Farnell
Newark
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Future Electronics
UTSource
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB027N10N3 G
  • IPB027N10N3-G
  • IPB027N10N3G
  • IPB027N10N3GATMA1.
  • SP000506508