Infineon IPB025N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 2.79
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB025N10N3GATMA111 4401
Arrow Electronics
2
IPB025N10N3GATMA13 4701
Rochester ElectronicsIPB025N10N3GATMA19
5h
DigiKey
3
IPB025N10N3GATMA1CT-ND7 3711Cut Tape
RS (Formerly Allied Electronics)IPB025N10N3GATMA101Bulk
2d

Fiches techniques et documents

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Newark

Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPB027N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
InfineonIPB039N10N3GATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Détails
InfineonIPB019N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS3 Power-transistor
Détails
VishaySQM120N10-3M8_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.003 Ohm, 10 V, 3 V
Détails
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
Détails
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB025N10N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Verical
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V; Power Dissipation:300W; No. Of Pins:7Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB025N10N3GATMA1.
Newark
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:7; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell

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element14 APAC
Newark
TME
Future Electronics
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB025N10N3 G
  • IPB025N10N3G
  • IPB025N10N3GATMA1.
  • SP000469888