Infineon IKB15N60TATMA1

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
$ 1.017
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIKB15N60TATMA11 2851Cut Tape
Arrow ElectronicsIKB15N60TATMA19951
DigiKey
3
448-IKB15N60TATMA1CT-ND1 6401Cut Tape
Future ElectronicsIKB15N60TATMA101KTape & Reel
AvnetIKB15N60TATMA101K
21h

Fiches techniques et documents

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Datasheet13 pagesIl y a 10 ans
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIGB15N60TATMA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails
InfineonIRG4BC30FD-SPBF
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
Détails
InfineonIRG4BC30KD-SPBF
IRG4BC30KD-SPBF Series 600 V 16 A N-Channel Ultra Fast IGBT - D2PAK-3
Détails
onsemiFGB20N6S2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IKB15N60TATMA1 fournies par ses distributeurs.

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
Future Electronics
IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
EBV Elektronik
IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:130W
element14 APAC
Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Infineon

Images

Farnell
TME
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IKB15N60T
  • SP000054882