Infineon IGB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 0.791
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIGB15N60TATMA19501
DigiKey
3
448-IGB15N60TATMA1CT-ND1 0571Cut Tape
Future ElectronicsIGB15N60TATMA101KTape & Reel
AvnetIGB15N60TATMA101K
3d
FarnellIGB15N60TATMA11 2751
10h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 10 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRGS8B60KPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails
onsemiFGB20N6S2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Détails
International RectifierIRGS4615DTRRPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin D2PAK T/R
Détails
InfineonIRGS4620DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 32A 140W 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGB15N60TATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
IHS
Infineon IGB15N60TATMA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
TodayComponents
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
ODG (Origin Data Global)
130W 1.5V 600V 30A TO-263 , 10.31mm*9.45mm*4.57mm
UnikeyIC
IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
DigiKey
IGBT,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Power Dissipation Max:130W
element14 APAC
Hard-switching 600 V, 15 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Infineon

Images

Farnell
TME
Farnell
RS APAC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IGB15N60T
  • SP000054921